存储市场产业新讯

近日，当前全球最大的存储芯片制造商三星电子，计划新设立一个具备尖端设备研发中心，负责研发更先进的NAND Flash，缩短新一代产品研发时间，提升半导体质量，以期通过不断研发更先进的产品在NAND Flash市场占有优势。据报道，该研发园区总面积约10.9万平方米，将主管NAND Flash 、晶圆代工、系统芯片等新技术研发。三星电子计划到2028年对该园区投资约20万亿韩元（约合人民币1030亿元）。

日本经济产业省(METI)最近宣布计划资助西数和铠侠的NAND Flash制造厂在日本三重县批量生产162层3D NAND Flash 。

SK海力士计划在美国建设一家先进的芯片封装工厂，该工厂将于明年第一季度破土动工。该工厂预计将耗资 “数十亿美元”，到2025-2026年将实现量产，且将雇用约 1000名工人。并宣布在美国投资220亿美元，用于设立芯片封装厂相关。SK集团将透过研发、材料、并建立先进封测厂，总共在半导体领域斥资150亿美元。消息人士并表示，先进封装设施会把SK海力士的存储芯片和其他美国所设计用于机器学习和人工智能的芯片进行组装。

美光宣布计划投资约 150亿美元，用于在爱达荷州博伊西建造一个新的先进存储制造工厂。这将是 20 年来在美国建造的第一家新的存储制造工厂，在加速采用人工智能和 5G 的推动下，确保供应美国汽车和数据中心等细分市场所需的领先存储芯片。