Nachhaltigkeit
English 繁體中文 简体中文 Deutsch 日本語 한국어

Monthly Memory & Flash Market Watch

May 2026

Monthly Memory & Flash Market Watch

Union rally causes Samsung fab production to plummet by 58% during night shift — over 40,000 people attended rally for better pay and bonuses

• The disruption was caused by a large union rally, nearly one‑third of Samsung’s semiconductor fab workforce, showing that even a short labor action can have an immediate and measurable impact on highly automated semiconductor operations. A prolonged strike could undermine Samsung’s lead in next‑generation memory (such as AI‑related chips) and potentially drive customers toward competitors like SK hynix, while also pushing prices higher across the industry.

Kioxia, Solidigm and SanDisk invests in Nanya Technology

• The move reflects a capital‑light expansion strategy for the companies: instead of direct fab investment, they gain strategic influence, supply visibility, and ecosystem resilience through financial participation. By backing Nanya’s 10nm‑class DRAM roadmap (DDR5 and LPDDR5), Kioxia and SanDisk position themselves closer to next‑generation memory technologies needed for high‑performance computing, enterprise storage, and AI accelerators.

SK hynix Begins Supply of 321-layer QLC NAND Up to 2TB cSSD

• This move marks a major milestone in ultra‑high‑layer NAND commercialization. The new product, PQC21, is positioned as a next‑generation storage solution for the AI PC era, targeting systems that require high capacity, strong performance, and improved power efficiency. QLC NAND’s share of the global cSSD market is expected to grow from 22% in 2025 to 61% by 2027 according to IDC projections. The supply launch supports SK hynix’s strategy to secure leadership in QLC‑based client, full‑scale shipments to Dell Technologies began in April 2026, with SK hynix planning to broaden supply to additional global OEMs over time.

Micron begins volume shipment of HBM4 36GB 12H

•This line is designed for Nvidia’s Vera Rubin AI platform. HBM4 achieves pin speeds exceeding 11 Gb/s, delivering aggregate bandwidth greater than 2.8 TB/s, which represents a 2.3× bandwidth increase over HBM3E.To support future capacity scaling, The firm also samples HBM4 48GB 16‑high (16H) stacks, enabling a 33% increase in capacity per HBM placement versus the 36GB 12H product, demonstrating advanced packaging capabilities.

SUPPLY TREND

2026 – 2027 Worldwide NAND Flash Output

demand for legacy‑node SSDs is minimal within overall SSD shipments. Rapid expansion in AI‑related applications in 2026 is expected to drive sustained growth in demand for mainstream advanced‑node 3D‑type SSD products.

2026-2027 Worldwide DRAM Output
With a growing proportion of DRAM capacity being directed toward server applications and rising HBM adoption, allocations for PC and mobile segments are coming under increasing pressure.

2025-2026 NAND Price Trend & Sufficiency Ratio

Flash Sufficiency: CSP-driven AI expansion caused severe NAND shortages starting from Q3’25, and this might last during the entire 2026.

Price Trend: overall NAND flash price rose sharply in Q4’25 with enterprise and cloud service provider (CSP) demand surging—driven by AI infrastructure expansion and server upgrades. The market condition is projected to continue in 2026, sustaining NAND flash prices at a high level.

2025-2026 DDR4 Price Trend & Sufficiency Ratio

DRAM Sufficiency: Supply has come under significant pressure from Q3’25 through 2026 1H, as manufacturers phase out DDR4 production and reallocate capacity toward high-demand applications from the CSPs. This shift has led to a pronounced tightening in overall DRAM availability.

Price Trend: DDR4 price has risen sharply across both spot and contract markets, driven by CSP-led demand absorbing supply and growing HBM allocation crowding out commodity DRAM capacity.

e-Catalog

e-Catalog

 Kontakt

Kontakt

 Abonnement

Abonnement

Insights

View all
What Is an NVMe SSD?

What Is an NVMe SSD?

Learn what an NVMe SSD is, how NVMe differs from SATA SSDs, and why NVMe storage is ideal for automation, industrial systems, and high-frequency data logging.
Was ist ECC-DRAM?

Was ist ECC-DRAM?

Erfahren Sie, was ECC-DRAM ist, wie die Fehlerkorrektur funktioniert und warum sie für Datenintegrität, Systemstabilität, Netzwerksicherheit und geschäftskritisches Computing wichtig ist.
So wählen Sie den richtigen NVR-Speicher aus: Schlüsselfaktoren für effiziente Überwachungssysteme

So wählen Sie den richtigen NVR-Speicher aus: Schlüsselfaktoren für effiziente Überwachungssysteme

​Hauptaspekte bei der Auswahl des NVR-Speichers: Vergleichen Sie für den Aufbau eines stabilen, leistungsstarken Überwachungssystems die Speicheranforderungen von Festplatte, SSD, Überwachungs-SSD und KI-NVR.
Wie ist der SSD-Temperaturbereich?

Wie ist der SSD-Temperaturbereich?

Temperatur ist ein stiller Begrenzer jeder SSD und der SSD-Temperaturbereich ist sowohl eine Leistungs- als auch eine Zuverlässigkeitsmerkmal. Bei anhaltender Last überwacht die NVMe-Firmware eine Gesamttemperatur und beginnt je nach Bedarf mit einer leichten oder starken Drosselung. Daher sinkt der Schreibdurchsatz stark und die Latenz steigt deutlich an. Hohe Temperaturen beschleunigen zudem den Ladungsverlust im NAND-Speicher, was den Verlust der Speicherkapazität beschleunigt. Der Effekt verschlimmert sich mit dem Verschleiß der Zellen durch zunehmende Programmier- und Löschzyklen. Daher nimmt die Lebensdauer schneller ab, während Probleme mit der Datenspeicherung zunehmen, wenn das Laufwerk später nicht mehr mit Strom versorgt wird.
Garbage Collection in industriellen SSDs: Was Sie wissen müssen

Garbage Collection in industriellen SSDs: Was Sie wissen müssen

Garbage Collection in SSDs ist die lautlose Bereinigung des Controllers. Sie komprimiert noch gültige Seite in neuen Speicherplatz und löscht Blöcke, die nun weitestgehend nur noch Datenmüll darstellen. Das könnte sich seltsam anhören, bis Sie sich daran erinnern, dass NAND-Flash eine programmierte Seite nicht überschrieben kann. Er muss zunächst löschen. Und das Löschen geschieht auf Blockebene, nicht pro Seite. Daher werden Aktualisierung „woanders geschrieben und später bereinigt“.
Was ist Over-Provisioning bei SSDs?

Was ist Over-Provisioning bei SSDs?

In jeder SSD befindet sich mehr physischer NAND, als vom Betriebssystem erkannt wird. Anbieter reservieren einen Teil dieses Flash-Speichers als reinen Controller-Speicher, der niemals als für den Nutzer verfügbare Kapazität erscheint. Dieser reservierte Bereich wird als Over-Provisioning (OP) bezeichnet. Beispielsweise berichtet TechTarget von einer SSD mit 976 GB physischem NAND, von denen nur 800 GB für den Host zugänglich sind, während 176 GB als reine Over-Provisioning-Kapazität nur dem Controller zur Verfügung stehen. Darüber hinaus speichert sie interne Metadaten, wie FTL-Zuordnungstabellen und Pools defekter Blöcke. Over-Provisioning bei SSDs meint also im eigentlichen Sinne diesen verborgenen Arbeitsbereich innerhalb des Laufwerks.