三星电子推出业界首款512GB CXL内存,助力人工智能(AI)和大数据应用。新开发的CXL内存的内存容量是以前版本的4倍,使服务器能够扩展到10TB等级,而系统延迟则降至五分之一。
西部数据宣布与铠侠联合开发的162层NAND Flash,为第六代BiCS NAND Flash (BiCS6)。西部数据与铠侠的 162 层 NAND 闪存将达到竞争对手 176 层的容量。西部数据与铠侠还公布了未来的研发计划,2024年BiCS+的层数超过200层,如果一切按计划进行,2032年应该会有500层的闪存问世。
SK海力士在中国东北辽宁省大连市新建晶圆厂,收购英特尔在该地区的资产后,进一步扩大了在华业务。 5月16日, SK 海力士中国总裁在新晶圆厂开工仪式的媒体报道中表示,新晶圆厂将提升大连工厂自身的产业竞争力,还有助于保障中国市场供应链稳定。
5月12日,美光周四宣布推出业界首款具有 232 层的 3D NAND 存储器,原始容量为1TB (128GB)。5月25日,美光宣布计划明年在台湾开始批量生产其1β纳米DRAM制程,并计划今年晚些时候在其台中工厂安装极紫外(EUV)光刻工具。该首席执行官表示,该公司正在为其1γ 纳米 DRAM制程的批量生产做前期准备。
Type | Supply | Price | |
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DRAM Module |
DDR3 | ● | ▂ |
DDR4 | ● | ▂ | |
DDR5 | ● | ▂ | |
Flash Storage |
SLC | ● | ▂ |
MLC | ● | ▂ | |
3D TLC(BiCS3) | ● | ▂ | |
3D TLC(BiCS4) | ● | ▂ | |
3D TLC(BiCS5) | ● | ▂ |
● 供给顺畅 ● 供给吃紧 ▂ 持平 ▲ 上扬
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