7月份存储市场产业新讯

在三星晶圆代工论坛 (SFF) 上, 三星公布了先进制程的roadmap

• 该公司计划到 2025 年生产 2nm 芯片，于 2027 年生产 1.4nm 芯片

• 三星计划增加5nm射频(RF)芯片研发，并开始在未来几年生产氮化镓（GaN）芯片

• 铠侠和西数之间的资源战略重新分配有利于提高企业级SSD的出货量

• 西数开始消减对研发团队的投入。

• 公司的企业级固态硬盘落后于竞争对手，2023年NAND闪存利润显著下降，而其北美主要客户越来越多地转向本土制造

SK海力士宣布已开始量产238层4D NAND闪存

• 相比176层，238层的数据传输速度提升50%（至每秒2.4Gb），读写性能提升约20%。

• 238层NAND闪存作为世界上最小体积的芯片，生产效率比上一代的176层提升了34%。

• 该公司计划在智能手机上采用238层技术后，将其扩展到高容量服务器SSD。

美国政府考虑进一步限制向中国出口AI芯片

• 美国正在考虑对美光和亚马逊等巨头的云服务租赁施加限制的可能性。

预期2023年第三季全球出货量增长率将高于第二季度

第三季度全球产量比22年第三季度同比下降9.4%，与今年第二季度相比也略有下降

NAND 满足率: NAND Flash库存水平预计在第三季度会大幅下降
价格走势: NAND闪存的价格走势几乎等于合约低位，似乎正在触底

内存满足率: DRAM供过于求的状况将在23年下半年出现显著改善

价格走势: D4 8Gb合约价已经进入死亡交叉点，超过了现货价格的低点，直至4Q23都将保持在该线以下

	Type	Supply	Price
DRAM Module	DDR3	●	▂
	DDR4	●	▂
	DDR5	●	▂
Flash Storage	SLC	●	▂
	MLC	●	▂
	3D TLC (BiCS3) *供应有限, 建议采用BiCS4或BiCS5	●	▂
	3D TLC (BiCS4)	●	▂
	3D TLC (BiCS5)	●	▂

● 供给稳定 ● 供给略紧张 ▂ 持平 ▲ 上扬 ▼ 下跌

展望Q3，我们预计存储价格将逐步复苏，尤其是内存系列，但市场波动会导致定价和供给需求的明确性降低。为有效管理这种情况，我们在承接订单时将非常谨慎，强烈建议您与客户经理就Q3/Q4的需求提前讨论。帮您提前计划，并确保为你合理定价并保证及时的供给。