
Samsung announced UFS 4.0 offering 2x performance compared to UFS 3.1. It is said to be adopted in future automotive applications, Augmented reality (AR), and Virtual reality (VR). Mass production of the new memory is likely to commence in the third quarter of 2022.
Samsung plans to continue to expand the proportion of 3D NAND flash this year to 78% reported by TrendForce.
Samsung announced that the industry is looking to discontinue the production of DDR3 due to dwindling market demands, and higher demands for its DDR4 and DDR5 options instead.
KIOXIA and WDC have finalized a formal agreement to jointly invest in the first phase of the Fab7 (Y7) manufacturing facility in Yokkaichi Plant, Japan.
This joint-venture investment adds a sixth flash memory manufacturing facility to the Yokkaichi Plant, enhancing its position as the world's largest flash memory manufacturing site. The first phase of the Y7 facility will produce 3D flash memory including 112- and 162-layer and future nodes.
Activist investor Elliott Investment Management urged WDC on May 3rd to separate its Flash business and offered to invest US$1 billion to facilitate a sale or a spin-off of the business. WDC did not immediately respond to a request for comment.


SK Hynix announced that the industry is looking to discontinue the production of DDR3 due to dwindling market demands, and higher demands for its DDR4 and DDR5 options instead.
In the second fiscal quarter of 2022 Micron derived 73% of its revenue from DRAM chips and 25% from NAND chips. Those two segments also saw year-over-year revenue increases of 29% and 19%, respectively. Micron is taking several steps to capitalize on this growth, starting with a stronger focus in the data center market. In March, Micron announced the world's first vertically integrated 176-layer NAND SSD for the data center with latencies of under 2ms.

| Type | Supply | Price | |
|---|---|---|---|
|
DRAM Module ![]() |
DDR3 | ● | ▲ |
| DDR4 | ● | ▂ | |
| DDR5 | ● | ▂ | |
|
Flash Storage ![]() |
SLC | ● | ▂ |
| MLC | ● | ▂ | |
| 3D TLC(BiCS3) | ● | ▲ | |
| 3D TLC(BiCS4) | ● | ▂ | |
| 3D TLC(BiCS5) | ● | ▂ |
● Smooth supply ● Tight supply ▂ Flat ▲ Upward trend

Learn what an NVMe SSD is, how NVMe differs from SATA SSDs, and why NVMe storage is ideal for automation, industrial systems, and high-frequency data logging.

Learn what ECC DRAM is, how error correction works, and why it matters for data integrity, system stability, networking security, and mission-critical computing.

NVRストレージを選定する際の主な検討事項:HDD、SSD、監視用SSD、およびAI NVRのストレージ要件を比較し、安定した高性能監視システムを構築しましょう。

温度はすべてのSSDを左右する隠れた制限要因であり、SSDの温度範囲は性能仕様であると同時に信頼性仕様でもあります。持続的な負荷がかかると、NVMeファームウェアは複合温度を監視し、軽度または大幅なサーマルスロットリングを開始します。その結果、書き込みスループットが低下し、遅延は急上昇します。また、熱はNAND内部の電荷漏れを加速させ、保持期間の劣化を早めます。この影響は、プログラム/消去サイクルによってセルの劣化が進むほど悪化します。このため、耐久性の消耗が早まり、後にドライブが無通電状態で放置された際のデータ保持トラブルのリスクも高まります。

SSDにおけるガーベージコレクションとは、コントローラーが静かに行うクリーンアップ作業のことです。まだ有効なページを新しい領域にまとめ、ほとんど不要になったブロックを消去します。奇妙に聞こえるかもしれませんが、NANDフラッシュはプログラム済みページを上書きできないことを思い出せば納得できます。まず消去する必要があり、この消去はページ単位ではなくブロック単位で行われます。そのため、更新処理は「別の場所に書き込んでから、後で消去する」という動作になります。

すべてのSSDには、OSからは見えない物理NANDが存在します。ベンダーはこのフラッシュの一部を、ユーザーには見えないコントローラー専用領域として確保しています。この予備領域がオーバープロビジョニング(OP)と呼ばれます。たとえば、TechTargetは、あるSSDは、物理NANDが976GBあるものの、ホストからアクセスできるのは800GBのみで、残りの176GBはコントローラー専用のOP領域として確保されたと報告しています。さらに、この領域にはFTLのマッピングテーブルや不良ブロックプールなどの内部メタデータも格納されます。このように、SSDのオーバープロビジョニングとは、ドライブ内部に存在するこの隠れた作業領域のことを指しています。