
SAMSUNG has decided to ramp up its wafer production capacities for memory and system semiconductors by around 10% in 2023. Its move is in sharp contrast to those of its rivals such as TSMC, Intel, Micron Technology, and SK Hynix, which all declared a reduction of their investments. SAMSUNG also decided to install more than 10 units of EUV lithography equipment for high-tech DRAM and foundry production. It currently has about 40 units of EUV equipment.
WDC has restarted talks with KIOXIA in a deal that could unite two technology storage providers, according to people familiar with the matter. The value of deals targeting semiconductor companies fell by more than a third last year to about $25 billion.


SK Hynix has set up a global strategy organization to respond to the rapidly changing global business environment and streamlined its internal decision-making system to increase the speed and flexibility of decision-making. It is planning to abolish its existing safety development and manufacturing and business organizations and speed up decision-making between the CEO and heads of major organizations.
Micron on Dec. 21 announced a host of cost-cutting measures, including a 10% workforce reduction, aimed at helping it weather a rapid drop in revenue. It said the worst industry glut in more than a decade would make it difficult to return to profitability next year. Micron also projected a steep sales decline and a wider loss than analysts had estimated for the current quarter.

W.W. SSD Shipment: Worldwide SSD shipment is expected to grow gradually.
NAND Sufficiency: NAND Flash expected to maintain oversupply globally in the overall picture.
Price Trend: NAND Flash price trend is expected to be flat in Q1 and dip slightly lower in Q2 and Q3.
DRAM Sufficiency:Global demand is weak, so oversupply is expected to last until 2023/Q3.
Price Trend:Contract price is expected to trend lower in Q1 but rate of decline will be slower YoY.
| Type | Supply | Price | |
|---|---|---|---|
|
DRAM Module ![]() |
DDR3 | ● | ▼ |
| DDR4 | ● | ▼ | |
| DDR5 | ● | ▼ | |
|
Flash Storage ![]() |
SLC | ● | ▂ |
| MLC | ● | ▂ | |
| 3D TLC (BiCS3) | ● | ▂ | |
| 3D TLC (BiCS4) | ● | ▂ | |
| 3D TLC (BiCS5) | ● | ▂ |
● Smooth supply ● Tight supply ▂ Flat ▲ Upward trend ▼ Downward trend

Learn what an NVMe SSD is, how NVMe differs from SATA SSDs, and why NVMe storage is ideal for automation, industrial systems, and high-frequency data logging.

ECC DRAMとは何か、エラー訂正の仕組み、そしてデータの整合性、システムの安定性、ネットワークセキュリティ、ミッションクリティカルなコンピューティングにおいて重要となる理由について解説します。

NVRストレージを選定する際の主な検討事項:HDD、SSD、監視用SSD、およびAI NVRのストレージ要件を比較し、安定した高性能監視システムを構築しましょう。

温度はすべてのSSDを左右する隠れた制限要因であり、SSDの温度範囲は性能仕様であると同時に信頼性仕様でもあります。持続的な負荷がかかると、NVMeファームウェアは複合温度を監視し、軽度または大幅なサーマルスロットリングを開始します。その結果、書き込みスループットが低下し、遅延は急上昇します。また、熱はNAND内部の電荷漏れを加速させ、保持期間の劣化を早めます。この影響は、プログラム/消去サイクルによってセルの劣化が進むほど悪化します。このため、耐久性の消耗が早まり、後にドライブが無通電状態で放置された際のデータ保持トラブルのリスクも高まります。

SSDにおけるガーベージコレクションとは、コントローラーが静かに行うクリーンアップ作業のことです。まだ有効なページを新しい領域にまとめ、ほとんど不要になったブロックを消去します。奇妙に聞こえるかもしれませんが、NANDフラッシュはプログラム済みページを上書きできないことを思い出せば納得できます。まず消去する必要があり、この消去はページ単位ではなくブロック単位で行われます。そのため、更新処理は「別の場所に書き込んでから、後で消去する」という動作になります。

すべてのSSDには、OSからは見えない物理NANDが存在します。ベンダーはこのフラッシュの一部を、ユーザーには見えないコントローラー専用領域として確保しています。この予備領域がオーバープロビジョニング(OP)と呼ばれます。たとえば、TechTargetは、あるSSDは、物理NANDが976GBあるものの、ホストからアクセスできるのは800GBのみで、残りの176GBはコントローラー専用のOP領域として確保されたと報告しています。さらに、この領域にはFTLのマッピングテーブルや不良ブロックプールなどの内部メタデータも格納されます。このように、SSDのオーバープロビジョニングとは、ドライブ内部に存在するこの隠れた作業領域のことを指しています。