
Samsung’s process technology improvement brings significant benefits for performance and power consumption
• The company aims to release chips made by SF1.4 technology in 2027,which is 1.4nm-class and will gain nanosheets from three to four.
• Mechanism of increasing nanosheets per transistor:
1.enhancement of driving current→improving chip performance
Negotiations between Kioxia and Western Digital terminated due to Hynix’s opposition
• WDC exited the talks with Kioxia after losing approval from Hynix, as the latter is indirect shareholder in Kioxia.
• The combined market share of these two firms for NAND memories stood at 35.4% as of Mar.,23, larger Samsung which accounted for 34.3%.
• The two companies are expected to continue partnering on chip development and plants investment despite existing status.

SK Hynix endeavors consolidating its position in future AI infrastructure
• The company recorded a 24% revenue growth and 38% operating losses narrowed compared with 2FQ23 thanks to strong demand for high-performance mobile flagship products and HBM3, a key product for AI applications, and high-capacity DDR5.
• Hynix plans to increase investments in HBM, DDR5 and LPDDR5. It will also increase the share of the products manufactured from the 1anm and 1bnm, the 4th and the 5th generations of the 10nm process.

Micron initiates construction on memory manufacturing fab
• The factory is located in Boise, home to Micron’s corporate HQs and the only DRAM R&D fabrication facility in North America.
• Co-locating the memory manufacturing fab is expected to provide multiple strategic benefits for Micron and the US semiconductor industry at large as Micron continues to drive industry leadership.

| Type | Supply | Price | |
|---|---|---|---|
|
DRAM Module ![]() |
DDR3 | ● | ▂ |
| DDR4 | ● | ▂ | |
| DDR5 | ● | ▂ | |
|
Flash Storage ![]() |
SLC | ● | ▂ |
| MLC | ● | ▂ | |
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3D TLC (BiCS3) *Limited Supply. We encourage you to migrate to BiCS4 and BiCS5 |
● | ▂ | |
| 3D TLC (BiCS4) | ● | ▂ | |
| 3D TLC (BiCS5) | ● | ▂ |
● Smooth supply ● Tight supply ▂ Flat ▲ Upward trend ▼ Downward trend

Learn what an NVMe SSD is, how NVMe differs from SATA SSDs, and why NVMe storage is ideal for automation, industrial systems, and high-frequency data logging.

ECC DRAMとは何か、エラー訂正の仕組み、そしてデータの整合性、システムの安定性、ネットワークセキュリティ、ミッションクリティカルなコンピューティングにおいて重要となる理由について解説します。

NVRストレージを選定する際の主な検討事項:HDD、SSD、監視用SSD、およびAI NVRのストレージ要件を比較し、安定した高性能監視システムを構築しましょう。

温度はすべてのSSDを左右する隠れた制限要因であり、SSDの温度範囲は性能仕様であると同時に信頼性仕様でもあります。持続的な負荷がかかると、NVMeファームウェアは複合温度を監視し、軽度または大幅なサーマルスロットリングを開始します。その結果、書き込みスループットが低下し、遅延は急上昇します。また、熱はNAND内部の電荷漏れを加速させ、保持期間の劣化を早めます。この影響は、プログラム/消去サイクルによってセルの劣化が進むほど悪化します。このため、耐久性の消耗が早まり、後にドライブが無通電状態で放置された際のデータ保持トラブルのリスクも高まります。

SSDにおけるガーベージコレクションとは、コントローラーが静かに行うクリーンアップ作業のことです。まだ有効なページを新しい領域にまとめ、ほとんど不要になったブロックを消去します。奇妙に聞こえるかもしれませんが、NANDフラッシュはプログラム済みページを上書きできないことを思い出せば納得できます。まず消去する必要があり、この消去はページ単位ではなくブロック単位で行われます。そのため、更新処理は「別の場所に書き込んでから、後で消去する」という動作になります。

すべてのSSDには、OSからは見えない物理NANDが存在します。ベンダーはこのフラッシュの一部を、ユーザーには見えないコントローラー専用領域として確保しています。この予備領域がオーバープロビジョニング(OP)と呼ばれます。たとえば、TechTargetは、あるSSDは、物理NANDが976GBあるものの、ホストからアクセスできるのは800GBのみで、残りの176GBはコントローラー専用のOP領域として確保されたと報告しています。さらに、この領域にはFTLのマッピングテーブルや不良ブロックプールなどの内部メタデータも格納されます。このように、SSDのオーバープロビジョニングとは、ドライブ内部に存在するこの隠れた作業領域のことを指しています。