フラッシュメモリ（NANDフラッシュ）は、プロセス技術の違いによってP/Eサイクル(Program/erase cycle)の限界が異なります。単一ブロック(block)に対して書き込みと消去を繰り返し行うと、過度の使用により、読み取り/書き込み速度が低下し、深刻な場合には破損が生じ、不良ブロック(bad block)となることがあります。
ウェアレベリングテクノロジー(Wear Leveling)は、ストレージデバイスの各NANDフラッシュブロックを平均して使用することで、特定のブロックに書き込みや消去が集中して破損するのを防ぎ、不良ブロックが多すぎることによりデバイス全体（例：SSD、USBメモリ、メモリカードなど）が使用できなくなる事態を回避することができます。
コントローラはファームウェアのウェアレベリングアルゴリズムにより、書き込みデータをすべてのブロックに均等に配分して各ブロックの書き換え回数を平準化し、特定ブロックに対する過度の使用を避けることができます。フラッシュメモリの各ブロックは耐久性の限界まで使用することができ、使用寿命も延ばすことができます。
ウェアレベリングテクノロジーのメリット：
