
SAMSUNG informed its keynote audience of important product updates to previously-announced mobile storage and high-performance SSD at Flash Memory Summit 2022. The industry’s first UFS 4.0 mobile storage, developed by SAMSUNG in May, is scheduled to enter mass production in August. The new UFS 4.0 will be a critical component in flagship smartphones that require large amounts of data processing for features like high-resolution images and graphics-heavy mobile games, and will later be used in mobility, VR and AR.
Japan's Ministry of Economy, Trade and Industry (METI) has lately announced plans to subsidize Western Digital (WD) and KIOXIA’s NAND flash manufacturing facility for the volume production of the 162-layer 3D NAND flash in Yokkaichi, Mie Prefecture.


SK Hynix aims to select a U.S. site for its advanced chip packaging plant and break ground there around 1Q2023, two people familiar with the matter said, helping the United States to compete as China pours money into chip packaging. The plant, whose estimated cost would be "several billions," would ramp up to mass production by 2025-2026 and employ about 1,000 workers, one of the sources said, declining to be named because details about the plant have not been made public.
Micron announced its plans to invest $40 billion through the end of 2030 to build leading-edge memory manufacturing in multiple phases in the U.S. With the anticipated grants and credits made possible by the CHIPS and Science Act, this investment will enable the world’s most advanced memory manufacturing in America. Micron expects to begin production between 2026 and 2030, ramping overall supply in line with industry demand trends.

| Type | Supply | Price | |
|---|---|---|---|
|
DRAM Module ![]() |
DDR3 | ● | ▼ |
| DDR4 | ● | ▼ | |
| DDR5 | ● | ▼ | |
|
Flash Storage ![]() |
SLC | ● | ▂ |
| MLC | ● | ▂ | |
| 3D TLC (BiCS3) | ● | ▂ | |
| 3D TLC (BiCS4) | ● | ▼ | |
| 3D TLC (BiCS5) | ● | ▼ |
● Smooth supply ● Tight supply ▂ Flat ▲ Upward trend ▼ Downward trend

SSD SMART 是什麼?本文解析 SATA 與 NVMe SMART 差異,說明 Power On Hours、Temperature、Percentage Used、Available Spare 等常見健康參數,協助 Edge Storage 與工業設備掌握 SSD 健康狀態。

完整解析車用 SSD :AEC-Q100 IC 溫度等級(Grade 0~3)、IATF 16949、ISO/SAE 21434 資安與 PLP、pSLC 等子系統規格,並比較 eMMC/UFS/SSD 差異。威剛工業級提供車載、鐵道 NVR 與邊緣運算的寬溫儲存方案與選型支援。

NVMe SSD가 무엇인지, NVMe가 SATA SSD와 어떻게 다른지, 그리고 NVMe 스토리지가 자동화, 산업용 시스템 및 높은 빈도의 데이터 로깅에 왜 적합한지 알아보세요.

안정적인 컴퓨팅을 위한 오류 교정 메모리 이해하기

NVR 스토리지 선택 시 고려해야 할 핵심 사항: 안정적이고 고성능의 감시 시스템을 구축하기 위해 HDD, SSD, 감시용 SSD 및 AI NVR 스토리지 요구 사항을 비교합니다

온도는 모든 SSD에서 보이지 않는 제한 요소이며 SSD 온도 범위는 성능 사양이자 신뢰성 사양이기도 합니다. 지속적인 부하가 걸리면 NVMe 펌웨어는 종합 온도를 추적하고 가볍거나 강하게 스로틀링을 시작합니다. 그래서 쓰기 처리량은 크게 떨어지고 지연 시간은 급증합니다. 열은 NAND 내부의 전하 누설도 가속시켜 데이터 유지력 감소를 빠르게 만듭니다. 이 효과는 셀이 프로그램/지우기 마모로 노화될수록 더 심해집니다. 따라서 드라이브가 나중에 전원이 꺼진 상태로 남아 있을 때 내구성을 더 빨리 소모하고 데이터 보존 문제의 위험도 높아집니다.