
Samsung unveiled its plans for the future. At Tech Day 2022 and aid out plans for its upcoming 1.4nm process node, memory roadmap, and goals to expand its industry outreach. The company currently offers 512 Gb triple-level cell (TLC) products for V-NAND but anticipates releasing a 1 terabyte TLC version later this year. The fifth-generation DRAM offering will be a 10nm (1b) device and will enter mass production in 2023. Other DRAM solutions coming soon include a 32 Gb DDR5 solution, 8.5 Gbps LPDDR5X DRAM, and 36 Gbps GDDR7 DRAM.
KIOXIA said it would reduce its output by approximately 30% of 3D NAND memory at its fabs located at its Yokkaichi and Kitakami sites starting from October. Demand for PCs and many other devices is slowing due to high inflation rates, geopolitical tensions, and producers of commodities want to reduce inventories and avoid oversupply, so they have to cut down production.


South Korea's SK Hynix Inc said on Wednesday it has received authorization from the U.S. Department of Commerce to receive chip equipment needed for its chip production facilities in China for one year, without seeking additional licensing requirements.
Micron announced plans to build the largest chip production complex in central New York state. The plan will span 20 years of construction and upgrades, with a total price tag expected to hit around $100 billion by the time Micron is finished in the 2040s. Micron's new site near Clay, New York, will not only be the company's largest campus ever built, but will also be the largest chip fab in the USA.

Except PC DRAM, global output keeps growing gradually in a low growth rate because of the weak demand.
| Type | Supply | Price | |
|---|---|---|---|
|
DRAM Module ![]() |
DDR3 | ● | ▼ |
| DDR4 | ● | ▼ | |
| DDR5 | ● | ▼ | |
|
Flash Storage ![]() |
SLC | ● | ▂ |
| MLC | ● | ▂ | |
| 3D TLC (BiCS3) | ● | ▂ | |
| 3D TLC (BiCS4) | ● | ▼ | |
| 3D TLC (BiCS5) | ● | ▼ |
● Smooth supply ● Tight supply ▂ Flat ▲ Upward trend ▼ Downward trend

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完整解析車用 SSD :AEC-Q100 IC 溫度等級(Grade 0~3)、IATF 16949、ISO/SAE 21434 資安與 PLP、pSLC 等子系統規格,並比較 eMMC/UFS/SSD 差異。威剛工業級提供車載、鐵道 NVR 與邊緣運算的寬溫儲存方案與選型支援。

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온도는 모든 SSD에서 보이지 않는 제한 요소이며 SSD 온도 범위는 성능 사양이자 신뢰성 사양이기도 합니다. 지속적인 부하가 걸리면 NVMe 펌웨어는 종합 온도를 추적하고 가볍거나 강하게 스로틀링을 시작합니다. 그래서 쓰기 처리량은 크게 떨어지고 지연 시간은 급증합니다. 열은 NAND 내부의 전하 누설도 가속시켜 데이터 유지력 감소를 빠르게 만듭니다. 이 효과는 셀이 프로그램/지우기 마모로 노화될수록 더 심해집니다. 따라서 드라이브가 나중에 전원이 꺼진 상태로 남아 있을 때 내구성을 더 빨리 소모하고 데이터 보존 문제의 위험도 높아집니다.