
Union rally causes Samsung fab production to plummet by 58% during night shift — over 40,000 people attended rally for better pay and bonuses
• The disruption was caused by a large union rally, nearly one‑third of Samsung’s semiconductor fab workforce, showing that even a short labor action can have an immediate and measurable impact on highly automated semiconductor operations. A prolonged strike could undermine Samsung’s lead in next‑generation memory (such as AI‑related chips) and potentially drive customers toward competitors like SK hynix, while also pushing prices higher across the industry.
Kioxia, Solidigm and SanDisk invests in Nanya Technology
• The move reflects a capital‑light expansion strategy for the companies: instead of direct fab investment, they gain strategic influence, supply visibility, and ecosystem resilience through financial participation. By backing Nanya’s 10nm‑class DRAM roadmap (DDR5 and LPDDR5), Kioxia and SanDisk position themselves closer to next‑generation memory technologies needed for high‑performance computing, enterprise storage, and AI accelerators.


SK hynix Begins Supply of 321-layer QLC NAND Up to 2TB cSSD
• This move marks a major milestone in ultra‑high‑layer NAND commercialization. The new product, PQC21, is positioned as a next‑generation storage solution for the AI PC era, targeting systems that require high capacity, strong performance, and improved power efficiency. QLC NAND’s share of the global cSSD market is expected to grow from 22% in 2025 to 61% by 2027 according to IDC projections. The supply launch supports SK hynix’s strategy to secure leadership in QLC‑based client, full‑scale shipments to Dell Technologies began in April 2026, with SK hynix planning to broaden supply to additional global OEMs over time.
Micron begins volume shipment of HBM4 36GB 12H
•This line is designed for Nvidia’s Vera Rubin AI platform. HBM4 achieves pin speeds exceeding 11 Gb/s, delivering aggregate bandwidth greater than 2.8 TB/s, which represents a 2.3× bandwidth increase over HBM3E.To support future capacity scaling, The firm also samples HBM4 48GB 16‑high (16H) stacks, enabling a 33% increase in capacity per HBM placement versus the 36GB 12H product, demonstrating advanced packaging capabilities.

demand for legacy‑node SSDs is minimal within overall SSD shipments. Rapid expansion in AI‑related applications in 2026 is expected to drive sustained growth in demand for mainstream advanced‑node 3D‑type SSD products.
Flash Sufficiency: CSP-driven AI expansion caused severe NAND shortages starting from Q3’25, and this might last during the entire 2026.
Price Trend: overall NAND flash price rose sharply in Q4’25 with enterprise and cloud service provider (CSP) demand surging—driven by AI infrastructure expansion and server upgrades. The market condition is projected to continue in 2026, sustaining NAND flash prices at a high level.
DRAM Sufficiency: Supply has come under significant pressure from Q3’25 through 2026 1H, as manufacturers phase out DDR4 production and reallocate capacity toward high-demand applications from the CSPs. This shift has led to a pronounced tightening in overall DRAM availability.
Price Trend: DDR4 price has risen sharply across both spot and contract markets, driven by CSP-led demand absorbing supply and growing HBM allocation crowding out commodity DRAM capacity.

Learn what an NVMe SSD is, how NVMe differs from SATA SSDs, and why NVMe storage is ideal for automation, industrial systems, and high-frequency data logging.

Learn what ECC DRAM is, how error correction works, and why it matters for data integrity, system stability, networking security, and mission-critical computing.

NVR 스토리지 선택 시 고려해야 할 핵심 사항: 안정적이고 고성능의 감시 시스템을 구축하기 위해 HDD, SSD, 감시용 SSD 및 AI NVR 스토리지 요구 사항을 비교합니다

온도는 모든 SSD에서 보이지 않는 제한 요소이며 SSD 온도 범위는 성능 사양이자 신뢰성 사양이기도 합니다. 지속적인 부하가 걸리면 NVMe 펌웨어는 종합 온도를 추적하고 가볍거나 강하게 스로틀링을 시작합니다. 그래서 쓰기 처리량은 크게 떨어지고 지연 시간은 급증합니다. 열은 NAND 내부의 전하 누설도 가속시켜 데이터 유지력 감소를 빠르게 만듭니다. 이 효과는 셀이 프로그램/지우기 마모로 노화될수록 더 심해집니다. 따라서 드라이브가 나중에 전원이 꺼진 상태로 남아 있을 때 내구성을 더 빨리 소모하고 데이터 보존 문제의 위험도 높아집니다.

SSD에서의 가비지 컬렉션은 컨트롤러가 조용히 수행하는 정리 작업으로, 여전히 유효한 페이지들을 새로운 공간으로 압축해 옮기고 이제 대부분 쓸모없어진 블록을 지우는 과정이며, NAND 플래시는 이미 프로그램된 페이지를 덮어쓸 수 없기 때문에 먼저 삭제가 필요하고 이 삭제는 페이지 단위가 아니라 블록 단위에서 이루어지므로 결국 업데이트는 “다른 곳에 먼저 쓰고 나중에 정리하는” 방식으로 이루어집니다.

모든 SSD 내부에는 OS가 인식할 수 있는 용량보다 더 많은 물리적 NAND가 존재합니다. 제조업체는 이 플래시의 일부를 사용자 용량으로 표시되지 않는 컨트롤러 전용 공간으로 예약합니다. 이와 같이 예약된 영역을 오버프로비저닝(OP)이라고 합니다. 예를 들어 TechTarget에 따르면 물리적 NAND 용량이 976GB인 SSD에서 호스트가 접근할 수 있는 용량은 800GB에 불과하며, 나머지 176GB는 컨트롤러 전용 오버프로비저닝 용량으로 남겨 둡니다. 또한 이 공간에는 FTL 매핑 테이블과 배드 블록 풀과 같은 내부 메타데이터가 저장됩니다. 따라서 SSD 오버프로비저닝이 무엇인지 묻는다는 것은 실제로 드라이브 내부에 있는 이러한 숨겨진 작업 공간을 의미합니다.