
三星在今年美國Flash Memory Summit期間發表了一系列新一代DRAM和存儲技術。該公司著重於推動大數據市場的四個先進技術領域 – 資料移動、資料存儲、資料處理和資料管理。
日本政府表示,將向KIOXIA控股和WDC公司提供多達 929 億日元(合 6.8 億美元)的資金,以幫助其提高產量並確保日本存儲晶片的穩定供應。WDC宣布與KIOXIA合作,使用稱為位列堆疊或 BiCS NAND 的工藝技術製造 162 層 NAND Flash。 此製程可在單個NAND Flash上堆疊162 層。


由於成本上升和對需求長期下滑的擔憂,SK海力士無限期推遲了一項耗資 4.3 萬億韓元 (33 億美元)的存儲晶片工廠擴建計劃。
美光希望從美國國會批准的 520 億美元晶片補貼中分得一杯羹。該公司承諾在未來幾年內提高國內內存產量。

| Type | Supply | Price | |
|---|---|---|---|
|
DRAM Module ![]() |
DDR3 | ● | ▼ |
| DDR4 | ● | ▼ | |
| DDR5 | ● | ▼ | |
|
Flash Storage ![]() |
SLC | ● | ▂ |
| MLC | ● | ▂ | |
| 3D TLC (BiCS3) | ● | ▂ | |
| 3D TLC (BiCS4) | ● | ▼ | |
| 3D TLC (BiCS5) | ● | ▼ |
●供給穩定 ● 供給吃緊 ▂ 持平 ▲ 上揚 ▼ 下跌

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