
三星在今年美國Flash Memory Summit期間發表了一系列新一代DRAM和存儲技術。該公司著重於推動大數據市場的四個先進技術領域 – 資料移動、資料存儲、資料處理和資料管理。
日本政府表示,將向KIOXIA控股和WDC公司提供多達 929 億日元(合 6.8 億美元)的資金,以幫助其提高產量並確保日本存儲晶片的穩定供應。WDC宣布與KIOXIA合作,使用稱為位列堆疊或 BiCS NAND 的工藝技術製造 162 層 NAND Flash。 此製程可在單個NAND Flash上堆疊162 層。


由於成本上升和對需求長期下滑的擔憂,SK海力士無限期推遲了一項耗資 4.3 萬億韓元 (33 億美元)的存儲晶片工廠擴建計劃。
美光希望從美國國會批准的 520 億美元晶片補貼中分得一杯羹。該公司承諾在未來幾年內提高國內內存產量。

| Type | Supply | Price | |
|---|---|---|---|
|
DRAM Module ![]() |
DDR3 | ● | ▼ |
| DDR4 | ● | ▼ | |
| DDR5 | ● | ▼ | |
|
Flash Storage ![]() |
SLC | ● | ▂ |
| MLC | ● | ▂ | |
| 3D TLC (BiCS3) | ● | ▂ | |
| 3D TLC (BiCS4) | ● | ▼ | |
| 3D TLC (BiCS5) | ● | ▼ |
●供給穩定 ● 供給吃緊 ▂ 持平 ▲ 上揚 ▼ 下跌

醫療設備正在快速數位化。從實務上來看,醫學影像、病患監測、內視鏡系統、自動調劑櫃,到醫療邊緣閘道器,越來越多設備負責執行檢查或治療流程也同時需要即時記錄影像、感測數據、操作紀錄、警報事件與系統狀態。 對醫療設備製造商來說,儲存裝置已經從容量規格的一部分,升級為影響資料完整性、設備穩定性與產品生命週期的重要元件。

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溫度是每顆 SSD 的隱形限制器,而 SSD 溫度範圍既是效能規格也是可靠性規格。在持續負載下,NVMe 韌體會追蹤複合溫度,並會開始輕度或重度節流。因此,寫入吞吐量大幅下降,延遲飆升。高溫也會加速 NAND 內部的電荷洩漏,這會加速資料保留損失。隨著單元因編程/抹除磨損而老化,這種效應會惡化。因此,當硬碟稍後保持未通電狀態時,您會更快消耗耐用度並提高資料保留問題的風險。

SSD 中的垃圾回收是控制器的靜態清理工作。它將仍然有效的頁面壓縮到新空間,並抹除現在大多是垃圾的區塊。這聽起來很奇怪,直到您記起 NAND 快閃記憶體無法覆寫已編程的頁面。它必須先抹除,而抹除是在區塊層級進行,而非每個頁面。因此,更新變成「先寫到別處,之後再清理」。