
三星聘請前AMD資深工程師,加速內部CPU核心研發進程
三星的目標是將自家CPU用於智能手機和筆電。基於此新研發項目的首批處理器,預期於2027問世;三星將放棄原有的Exynos品牌名稱,而改稱為“Galaxy Chip(s)”。
KIOXIA和WDC發表其共同研發的第八代全新快閃記憶體技術,採218層堆疊工藝
這兩家公司是全球首先推出具備 3200 MT/s I/O 快閃記憶體 IC 的 3D NAND 製造商,領先其競爭對手約33%。


SK海力士於近期公佈其第八代3D NAND Flash細節,產品堆疊層數超過300層
2024-2025年新製程的3D NAND Flash,位元密度將提高近一倍,每片晶圓生產率也將顯著提高。
· 美光DRAM營收同期減少41.2%,成為營收降幅最大的供應商
· 美光DRAM產能利用率降至84%,預計2023全年將維持在相同水平
· 美光最新1β奈米製程已開始量產
1β奈米製程也將導入美光在台工廠,預計2023年中投入晶圆,並於下半年量产

| Type | Supply | Price | |
|---|---|---|---|
|
DRAM Module ![]() |
DDR3 | ● | ▼ |
| DDR4 | ● | ▼ | |
| DDR5 | ● | ▼ | |
|
Flash Storage ![]() |
SLC | ● | ▂ |
| MLC | ● | ▂ | |
|
3D TLC (BiCS3) *供給有限, 建議採用BiCS4或BiCS5 |
● | ▂ | |
| 3D TLC (BiCS4) | ● | ▂ | |
| 3D TLC (BiCS5) | ● | ▼ |
● 供給穩定 ● 供給吃緊 ▂ 持平 ▲ 上揚 ▼ 下跌

醫療設備正在快速數位化。從實務上來看,醫學影像、病患監測、內視鏡系統、自動調劑櫃,到醫療邊緣閘道器,越來越多設備負責執行檢查或治療流程也同時需要即時記錄影像、感測數據、操作紀錄、警報事件與系統狀態。 對醫療設備製造商來說,儲存裝置已經從容量規格的一部分,升級為影響資料完整性、設備穩定性與產品生命週期的重要元件。

了解 NVMe SSD 的定義、NVMe 與 SATA SSD 的差異,以及為何 NVMe 儲存裝置適合自動化、工業系統和高頻資料記錄

了解 ECC DRAM 的定義、除錯運作原理,以及它對資料完整性、系統穩定性、網路安全與關鍵任務運算的重要性。

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溫度是每顆 SSD 的隱形限制器,而 SSD 溫度範圍既是效能規格也是可靠性規格。在持續負載下,NVMe 韌體會追蹤複合溫度,並會開始輕度或重度節流。因此,寫入吞吐量大幅下降,延遲飆升。高溫也會加速 NAND 內部的電荷洩漏,這會加速資料保留損失。隨著單元因編程/抹除磨損而老化,這種效應會惡化。因此,當硬碟稍後保持未通電狀態時,您會更快消耗耐用度並提高資料保留問題的風險。

SSD 中的垃圾回收是控制器的靜態清理工作。它將仍然有效的頁面壓縮到新空間,並抹除現在大多是垃圾的區塊。這聽起來很奇怪,直到您記起 NAND 快閃記憶體無法覆寫已編程的頁面。它必須先抹除,而抹除是在區塊層級進行,而非每個頁面。因此,更新變成「先寫到別處,之後再清理」。