
在三星晶圓代工論壇(SFF) 上, 三星公佈了先進奈米晶片製程技術
• 該公司計畫到 2025 年生產 2nm 晶片,於 2027 年生產 1.4nm 晶片晶圓代工論壇。
• 三星計畫增加5nm射頻(RF)晶片研發,並開始在未來幾年生產氮化鎵(GaN)晶片。
• 鎧俠和威騰之間的資源策略重新分配有利於提高企業級SSD的出貨量。
• 威騰開始消減對研發團隊的投入。
• 該公司的企業級固態硬碟落後于競爭對手,2023年NAND快閃記憶體利潤顯著下降,而其北美主要客戶越來越多地轉向本土製造。


SK海力士宣佈已開始量產238層4D NAND閃存。
• 相比176層,238層的資料傳輸速度提升50%(至每秒2.4Gb),讀寫性能提升約20%。
•238層NAND快閃記憶體作為世界上最小體積的晶片,生產效率比上一代的176層提升了34%
•該公司計畫在智慧手機上採用238層技術後,將其擴展到高容量伺服器SSD
預計中國對美光基礎設施晶片的禁令,將對收入產生高個位數的影響
• 國正在考慮對美光和亞馬遜等巨頭的雲服務租賃施加限制的可能性。

| Type | Supply | Price | |
|---|---|---|---|
|
DRAM Module ![]() |
DDR3 | ● | ▂ |
| DDR4 | ● | ▂ | |
| DDR5 | ● | ▂ | |
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Flash Storage ![]() |
SLC | ● | ▂ |
| MLC | ● | ▂ | |
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3D TLC (BiCS3) *Limited Supply. We encourage you to migrate to BiCS4 and BiCS5 |
● | ▂ | |
| 3D TLC (BiCS4) | ● | ▂ | |
| 3D TLC (BiCS5) | ● | ▂ |
● 供給穩定 ● 供給吃緊 ▂ 持平 ▲ 上揚 ▼ 下跌
展望Q3,我們預計存儲價格將逐步復蘇,尤其是記憶體系列,但市場波動會導致定價和供給需求的明確性降低。為有效管理這種情況,我們在承接訂單時將非常謹慎,強烈建議您與客戶經理就Q3/Q4的需求提前討論。幫您提前計畫,並確保為你合理定價並保證及時的供給。

醫療設備正在快速數位化。從實務上來看,醫學影像、病患監測、內視鏡系統、自動調劑櫃,到醫療邊緣閘道器,越來越多設備負責執行檢查或治療流程也同時需要即時記錄影像、感測數據、操作紀錄、警報事件與系統狀態。 對醫療設備製造商來說,儲存裝置已經從容量規格的一部分,升級為影響資料完整性、設備穩定性與產品生命週期的重要元件。

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溫度是每顆 SSD 的隱形限制器,而 SSD 溫度範圍既是效能規格也是可靠性規格。在持續負載下,NVMe 韌體會追蹤複合溫度,並會開始輕度或重度節流。因此,寫入吞吐量大幅下降,延遲飆升。高溫也會加速 NAND 內部的電荷洩漏,這會加速資料保留損失。隨著單元因編程/抹除磨損而老化,這種效應會惡化。因此,當硬碟稍後保持未通電狀態時,您會更快消耗耐用度並提高資料保留問題的風險。

SSD 中的垃圾回收是控制器的靜態清理工作。它將仍然有效的頁面壓縮到新空間,並抹除現在大多是垃圾的區塊。這聽起來很奇怪,直到您記起 NAND 快閃記憶體無法覆寫已編程的頁面。它必須先抹除,而抹除是在區塊層級進行,而非每個頁面。因此,更新變成「先寫到別處,之後再清理」。