7月份產業新訊

在三星晶圓代工論壇(SFF) 上, 三星公佈了先進奈米晶片製程技術

• 該公司計畫到 2025 年生產 2nm 晶片，於 2027 年生產 1.4nm 晶片晶圓代工論壇。

• 三星計畫增加5nm射頻(RF)晶片研發，並開始在未來幾年生產氮化鎵（GaN）晶片。

• 鎧俠和威騰之間的資源策略重新分配有利於提高企業級SSD的出貨量。

• 威騰開始消減對研發團隊的投入。

• 該公司的企業級固態硬碟落後于競爭對手，2023年NAND快閃記憶體利潤顯著下降，而其北美主要客戶越來越多地轉向本土製造。

SK海力士宣佈已開始量產238層4D NAND閃存。

• 相比176層，238層的資料傳輸速度提升50%（至每秒2.4Gb），讀寫性能提升約20%。

•238層NAND快閃記憶體作為世界上最小體積的晶片，生產效率比上一代的176層提升了34%

•該公司計畫在智慧手機上採用238層技術後，將其擴展到高容量伺服器SSD

預計中國對美光基礎設施晶片的禁令，將對收入產生高個位數的影響

• 國正在考慮對美光和亞馬遜等巨頭的雲服務租賃施加限制的可能性。

全球SSD出貨量: 預期2023年第三季全球出貨量增長率將高於第二季度。

全球DRAM產量: 第三季度全球產量比22年第三季度同比下降9.4%，與今年第二季度相比也略有下降。

DRAM滿足率: NAND Flash庫存水準預計在第三季度會大幅下降。
價格走勢: NAND快閃記憶體的價格走勢幾乎等於合約低位，似乎正在觸底。

DRAM滿足率: DRAM供過於求的狀況將在23年下半年出現顯著改善。

價格走勢: D4 8Gb合約價已經進入死亡交叉點，超過了現貨價格的低點，直至4Q23都將保持在該線以下。

	Type	Supply	Price
DRAM Module	DDR3	●	▂
	DDR4	●	▂
	DDR5	●	▂
Flash Storage	SLC	●	▂
	MLC	●	▂
	3D TLC (BiCS3) *Limited Supply. We encourage you to migrate to BiCS4 and BiCS5	●	▂
	3D TLC (BiCS4)	●	▂
	3D TLC (BiCS5)	●	▂

● 供給穩定 ● 供給吃緊 ▂ 持平 ▲ 上揚 ▼ 下跌

展望Q3，我們預計存儲價格將逐步復蘇，尤其是記憶體系列，但市場波動會導致定價和供給需求的明確性降低。為有效管理這種情況，我們在承接訂單時將非常謹慎，強烈建議您與客戶經理就Q3/Q4的需求提前討論。幫您提前計畫，並確保為你合理定價並保證及時的供給。