
在三星晶圓代工論壇(SFF) 上, 三星公佈了先進奈米晶片製程技術
• 該公司計畫到 2025 年生產 2nm 晶片,於 2027 年生產 1.4nm 晶片晶圓代工論壇。
• 三星計畫增加5nm射頻(RF)晶片研發,並開始在未來幾年生產氮化鎵(GaN)晶片。
• 鎧俠和威騰之間的資源策略重新分配有利於提高企業級SSD的出貨量。
• 威騰開始消減對研發團隊的投入。
• 該公司的企業級固態硬碟落後于競爭對手,2023年NAND快閃記憶體利潤顯著下降,而其北美主要客戶越來越多地轉向本土製造。


SK海力士宣佈已開始量產238層4D NAND閃存。
• 相比176層,238層的資料傳輸速度提升50%(至每秒2.4Gb),讀寫性能提升約20%。
•238層NAND快閃記憶體作為世界上最小體積的晶片,生產效率比上一代的176層提升了34%
•該公司計畫在智慧手機上採用238層技術後,將其擴展到高容量伺服器SSD
預計中國對美光基礎設施晶片的禁令,將對收入產生高個位數的影響
• 國正在考慮對美光和亞馬遜等巨頭的雲服務租賃施加限制的可能性。

| Type | Supply | Price | |
|---|---|---|---|
|
DRAM Module ![]() |
DDR3 | ● | ▂ |
| DDR4 | ● | ▂ | |
| DDR5 | ● | ▂ | |
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Flash Storage ![]() |
SLC | ● | ▂ |
| MLC | ● | ▂ | |
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3D TLC (BiCS3) *Limited Supply. We encourage you to migrate to BiCS4 and BiCS5 |
● | ▂ | |
| 3D TLC (BiCS4) | ● | ▂ | |
| 3D TLC (BiCS5) | ● | ▂ |
● 供給穩定 ● 供給吃緊 ▂ 持平 ▲ 上揚 ▼ 下跌
展望Q3,我們預計存儲價格將逐步復蘇,尤其是記憶體系列,但市場波動會導致定價和供給需求的明確性降低。為有效管理這種情況,我們在承接訂單時將非常謹慎,強烈建議您與客戶經理就Q3/Q4的需求提前討論。幫您提前計畫,並確保為你合理定價並保證及時的供給。
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