三星制程技術的改進為晶片的性能和功耗帶來了顯著優勢
• 計畫在2027年發佈採用SF1.4（1.4奈米級）制程技術，將把奈米片（nanosheet）的數量從3個增加到4個
• 每個電晶體增加奈米片的機制:
1. 增強電流→提高晶片性能
2. 更好地控制電流→降低漏電流和功耗
Kioxia與WDC的談判因SK海力士的反對而終止
• WDC在失去海力士的批准後退出了與Kioxia的談判，因為SK海力士是Kioxia公司的間接股東
• 截至23年3月，這兩家公司在NAND Flash方面的總市場份額為35.4%，規模更大的三星占34.3%
• 儘管兩家公司已終止了業務合併的談判，但是雙方將繼續在晶片開發和工廠投資方面合作
SK海力士努力鞏固其在未來人工智慧基礎設施中的地位
• 與上季度相比營業收入增長24%，營業損失減少38%。這得益於AI等高性能面向伺服器的產品和HBM3（人工智慧應用的關鍵產品）以及高容量 DDR5的強勁需求
• SK海力士決定加大對HBM、DDR5、LPDDR5 DRAM等產品的投資，並以第四代10奈米級(1a)和第五代10奈米級(1b)DRAM為中心的生產線轉換
美光記憶體製造廠開工建設
• 該工廠位於博伊西，是美光公司總部所在地，也是北美唯一的DRAM研發製造工廠
• 記憶體製造廠的建設將為美光和美國帶來多項戰略利益。隨著美光持續推動行業領先地位，也將帶領整個半導體行業居於領先
需求可能在第四季度達到2023年的新高
SSD供給: 2023年下半年至2024年都將维持在極低的水平
價格趨勢: NAND Flash的價格可能在2023年第三季度大幅上漲後，將在2023年第四季度至2024年第三季度呈現緩慢增長
DRAM供給: 從2023年第四季度開始將維持在極低的水準
價格趨勢: : DDR4 8Gb記憶體合約價直到2024年都不會有明顯的上漲，可能在明年12月24日突破現貨低點
| Type | Supply | Price | |
|---|---|---|---|
|
DRAM Module  |
DDR3 | ● | ▲ |
| DDR4 | ● | ▲ | |
| DDR5 | ● | ▲ | |
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Flash Storage  |
SLC | ● | ▂ |
| MLC | ● | ▂ | |
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3D TLC (BiCS3) *供給有限 供給有限, 建議採用BiCS4或BiCS5 |
● | ▲ | |
| 3D TLC (BiCS4) | ● | ▲ | |
| 3D TLC (BiCS5) | ● | ▲ |
● 供給穩定 ● 供給略緊張 ● 供給吃緊 ▂ 持平 ▲上揚 ▼ 下跌
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