11月市場新訊

三星制程技術的改進為晶片的性能和功耗帶來了顯著優勢

• 計畫在2027年發佈採用SF1.4（1.4奈米級）制程技術，將把奈米片（nanosheet）的數量從3個增加到4個

• 每個電晶體增加奈米片的機制:

1. 增強電流→提高晶片性能

2. 更好地控制電流→降低漏電流和功耗

Kioxia與WDC的談判因SK海力士的反對而終止

• WDC在失去海力士的批准後退出了與Kioxia的談判，因為SK海力士是Kioxia公司的間接股東

• 截至23年3月，這兩家公司在NAND Flash方面的總市場份額為35.4%，規模更大的三星占34.3%

• 儘管兩家公司已終止了業務合併的談判，但是雙方將繼續在晶片開發和工廠投資方面合作

SK海力士努力鞏固其在未來人工智慧基礎設施中的地位

• 與上季度相比營業收入增長24%，營業損失減少38%。這得益於AI等高性能面向伺服器的產品和HBM3（人工智慧應用的關鍵產品）以及高容量 DDR5的強勁需求

• SK海力士決定加大對HBM、DDR5、LPDDR5 DRAM等產品的投資，並以第四代10奈米級(1a)和第五代10奈米級(1b)DRAM為中心的生產線轉換

美光記憶體製造廠開工建設

• 該工廠位於博伊西，是美光公司總部所在地，也是北美唯一的DRAM研發製造工廠

• 記憶體製造廠的建設將為美光和美國帶來多項戰略利益。隨著美光持續推動行業領先地位，也將帶領整個半導體行業居於領先

需求可能在第四季度達到2023年的新高

全應用領域的記憶體產量將從2023年第四季度實現穩定增長

SSD供給:  2023年下半年至2024年都將维持在極低的水平

價格趨勢: NAND Flash的價格可能在2023年第三季度大幅上漲後，將在2023年第四季度至2024年第三季度呈現緩慢增長

DRAM供給: 從2023年第四季度開始將維持在極低的水準
價格趨勢: : DDR4 8Gb記憶體合約價直到2024年都不會有明顯的上漲，可能在明年12月24日突破現貨低點

	Type	Supply	Price
DRAM Module	DDR3	●	▲
	DDR4	●	▲
	DDR5	●	▲
Flash Storage	SLC	●	▂
	MLC	●	▂
	3D TLC (BiCS3) *供給有限供給有限, 建議採用BiCS4或BiCS5	●	▲
	3D TLC (BiCS4)	●	▲
	3D TLC (BiCS5)	●	▲

● 供給穩定 ● 供給略緊張 ● 供給吃緊 ▂ 持平 ▲上揚 ▼ 下跌