
三星制程技術的改進為晶片的性能和功耗帶來了顯著優勢
• 計畫在2027年發佈採用SF1.4(1.4奈米級)制程技術,將把奈米片(nanosheet)的數量從3個增加到4個
• 每個電晶體增加奈米片的機制:
1. 增強電流→提高晶片性能
2. 更好地控制電流→降低漏電流和功耗
Kioxia與WDC的談判因SK海力士的反對而終止
• WDC在失去海力士的批准後退出了與Kioxia的談判,因為SK海力士是Kioxia公司的間接股東
• 截至23年3月,這兩家公司在NAND Flash方面的總市場份額為35.4%,規模更大的三星占34.3%
• 儘管兩家公司已終止了業務合併的談判,但是雙方將繼續在晶片開發和工廠投資方面合作


SK海力士努力鞏固其在未來人工智慧基礎設施中的地位
• 與上季度相比營業收入增長24%,營業損失減少38%。這得益於AI等高性能面向伺服器的產品和HBM3(人工智慧應用的關鍵產品)以及高容量 DDR5的強勁需求
• SK海力士決定加大對HBM、DDR5、LPDDR5 DRAM等產品的投資,並以第四代10奈米級(1a)和第五代10奈米級(1b)DRAM為中心的生產線轉換
美光記憶體製造廠開工建設
• 該工廠位於博伊西,是美光公司總部所在地,也是北美唯一的DRAM研發製造工廠
• 記憶體製造廠的建設將為美光和美國帶來多項戰略利益。隨著美光持續推動行業領先地位,也將帶領整個半導體行業居於領先

| Type | Supply | Price | |
|---|---|---|---|
|
DRAM Module ![]() |
DDR3 | ● | ▲ |
| DDR4 | ● | ▲ | |
| DDR5 | ● | ▲ | |
|
Flash Storage ![]() |
SLC | ● | ▂ |
| MLC | ● | ▂ | |
|
3D TLC (BiCS3) *供給有限 供給有限, 建議採用BiCS4或BiCS5 |
● | ▲ | |
| 3D TLC (BiCS4) | ● | ▲ | |
| 3D TLC (BiCS5) | ● | ▲ |
● 供給穩定 ● 供給略緊張 ● 供給吃緊 ▂ 持平 ▲上揚 ▼ 下跌

醫療設備正在快速數位化。從實務上來看,醫學影像、病患監測、內視鏡系統、自動調劑櫃,到醫療邊緣閘道器,越來越多設備負責執行檢查或治療流程也同時需要即時記錄影像、感測數據、操作紀錄、警報事件與系統狀態。 對醫療設備製造商來說,儲存裝置已經從容量規格的一部分,升級為影響資料完整性、設備穩定性與產品生命週期的重要元件。

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溫度是每顆 SSD 的隱形限制器,而 SSD 溫度範圍既是效能規格也是可靠性規格。在持續負載下,NVMe 韌體會追蹤複合溫度,並會開始輕度或重度節流。因此,寫入吞吐量大幅下降,延遲飆升。高溫也會加速 NAND 內部的電荷洩漏,這會加速資料保留損失。隨著單元因編程/抹除磨損而老化,這種效應會惡化。因此,當硬碟稍後保持未通電狀態時,您會更快消耗耐用度並提高資料保留問題的風險。

SSD 中的垃圾回收是控制器的靜態清理工作。它將仍然有效的頁面壓縮到新空間,並抹除現在大多是垃圾的區塊。這聽起來很奇怪,直到您記起 NAND 快閃記憶體無法覆寫已編程的頁面。它必須先抹除,而抹除是在區塊層級進行,而非每個頁面。因此,更新變成「先寫到別處,之後再清理」。