6月市場新訊

曝三星3nm工藝良率仍為50%，被台積電90%高良率遠遠甩開

• 如此低的產量率‌，使得三星更難獲得大型科技公司的信任。儘管三星在成熟的7nm和8nm節點上‌正取得進展‌，據報導還接到了任天堂的訂單。穀歌的Tensor G5據說‌正在將需求轉向‌台積電的3nm，並打算與台積電鎖定未來‌3-5年‌的合作，涵蓋Pixel系列機型，至少直至Pixel 14。

Western Digital和Ingrasys建立長期合作

• 這兩家公司旨在提供一款帶有嵌入式存儲的新型機架頂部（TOR）交換機，該交換機在網路邊緣提供分散式存儲，以降低存儲訪問延遲，減少對獨立存儲網路的需求，並避免訪問集中式存儲陣列

Kioxia開始提供企業級CM9系列PCIe 5.0 NVMe SSD樣品，容量高達61.44TB

• 該系列是使用Kioxia的BiCS8 3D TLC快閃記憶體記憶體構建的首款企業級SSD，與前代產品相比，隨機寫入性能提升了約65%，隨機讀取性能提升了55%，順序寫入性能提升了95%。此外，在性能/瓦特增益方面，順序讀取效率提高了55%，順序寫入效率提高了75%。

SK hynix開發出基於321層NAND的UFS 4.1解決方案

•隨著對設備上AI需求的增加，設備的計算能力和電池效率之間的平衡變得愈發重要，移動市場現在要求移動設備更輕薄且功耗更低。

•最新產品相比基於238層NAND的前代產品，在功耗效率上提升了7%，厚度從1mm減少到0.85mm，以適應超薄智慧手機。

美光12hi HBM3e在CSP的強勁支持下，到8月出貨量可能超過8hi

• Micron對12hi HBM3E寄予厚望，認為隨著產量的迅速提升，該產品的出貨量將超越當前的8hi HBM3e。這得益於其產量的快速提升。

• Micron正迅速縮小與SK hynix的差距。其頂級產品12hi HBM3e已經為NVIDIA的B300提供動力。儘管Micron的整體DRAM產能可能不及SK hynix，但其在尖端10nm級1b工藝上的更高份額使其具有品質優勢，特別是在熱管理方面，這是HBM的關鍵因素。

2024年第四季度全球SSD需求達到全年出貨量峰值，但預計2025年上半年出貨量仍將維持在高於前期的水準。

2024年各應用領域的DRAM產能全面復蘇，2025年的總體產量水準預計將保持在2024年季度水準之上。

Flash Sufficiency: 自2024年以來，維持低位供應。

Price Trend: NAND Falsh價格在2024年第四季度跌至低谷，但預計2025年將微幅反彈——主因晶片製造商計畫減產（考量終端需求未顯著走強），且受美國關稅政策不確定性波及。

DRAM Sufficiency: 2025年全年維持極度緊缺，僅Q1'25為滿足年度框架訂單小幅擴產。
Price Trend: 8Gb現貨價急漲，預計2025年第三季將突破合約價——主因系DDR4持續減產所致。

June 2025