7月市場新訊

三星與約翰霍普金斯聯合開發下一代製冷技術

• DDR4現貨市場漲幅居前模組漲幅反超晶片

• 由於大量舊款處理器平臺及設備型號仍需DDR4記憶體支援，6月下半月主流晶片（1Gx8 3200MT/s）現貨均價已上漲22.2%

• 兩大巨頭正與客戶積極協商最後一次採購協議

鎧俠開始送樣新一代CD9P系列EDSFF/E3.S規格資料中心SSD 容量最高達61.44TB

• 基於BiCS8三維快閃記憶體技術：採用創新CBA架構降低發熱，提升散熱效率

• 性能功耗雙突破：15.36TB型號較上代實現順序讀寫能效提升60%/45%，隨機讀寫每瓦特性能提升55%/100%（以KIOps計）

• 綜合價值升級：在性能指標、功耗表現及總體擁有成本（TCO）方面實現全方位優化

SK海力士、美光推動DDR4最後採購潮退市效應推升第三季價格

• DDR4現貨市場漲幅居前模組漲幅反超晶片

• 由於大量舊款處理器平臺及設備型號仍需DDR4記憶體支援，6月下半月主流晶片（1Gx8 3200MT/s）現貨均價已上漲22.2%

• 兩大巨頭正與客戶積極協商最後一次採購協議

美光開始向客戶提供HBM4記憶體樣品

• 適用於下一代AI和HPC處理器的新記憶體元件具有36GB的容量，並提供2TB/s的頻寬

• 12hi器件的資料傳輸速率約為7.85 GT/s。樣品依賴於在該公司的1βDRAM制程技術以及台積電使用其12FFC+（2nm級）或N5生產的邏輯基片（5nm級）邏輯制程技術

SSD正進入季節性需求淡季。受北美庫存積壓及中國對進口存儲產品走私的嚴厲管控影響，第三季度快閃記憶體晶片出貨量已跌至2025年以來的最低水準

2024年各應用領域的DRAM產能全面復蘇，2025年的總體產量水準預計將保持在2024年季度水準之上

滿足率: 自2024年以來，維持低位供應

價格走勢: 儘管總體需求並不強勁且仍存在部分庫存，但隨著晶片製造商持續執行減產計畫，NAND Flash價格在2025年第二季度小幅反彈後，預計將在2025全年維持在平均水準

DRAM滿足率: 2025年全年維持極度緊缺，僅Q1'25為滿足年度框架訂單小幅擴產

價格走勢: 8Gb現貨價急漲，預計2025年第三季將突破合約價——主因系DDR4持續減產所致

July 2025