4月份存储市场产业新讯

三星聘请前AMD高级工程师，加速内部CPU核心研发进程

三星的目标是将自有CPU内核用于智能手机和笔记本电脑。基于这项新研发项目的首批处理器，预期于2027年面世，它们将放弃 Exynos品牌，而是称其为“Galaxy Chip(s)”。

铠侠和西数推出联合研发的218层BiCS 3D NAND第八代全新闪存技术

这两家公司是全球首批推出具有 3200 MT/s I/O 闪存 IC 的 3D NAND 制造商，其领先竞争对手 33%

SK海力士于近期公布其第八代3D NAND的细节，该产品堆叠层数超300层

当2024-25年新生产节点来临之际，新 NAND 的位密度提高近一倍，同时每片晶圆生产率也将显著提高。

· 美光DRAM营收同期减少41.2%，成为营收降幅最大的存储供应商

· 美光DRAM产能利用率为84%，预计2023全年将保持在相同水平

· 美光已开始使用其最新的1β纳米制程进行量产

1β工艺也将应用在台湾，且计划于2023年中投入晶圆，在23年下半年实现量产。

全球SSD出货量: 预期将于2023年第二季度逐步回升。

与2022年相比，全球产量降至新低，而PC内存产品略有恢复。

NAND 满足率: 与2022年最后两个季度相比，第二季度的库存水平显著下降。
价格走势: NAND Flash价格预计于Q2持平，在Q3接近合约低价。

内存满足率: 2023年初开始，DRAM供过于求的状况已在持续好转。
价格走势: 8GB价格已在Q1触及现货价低点，预计在Q3略有回升。

	Type	Supply	Price
DRAM Module	DDR3	●	▼
	DDR4	●	▼
	DDR5	●	▼
Flash Storage	SLC	●	▂
	MLC	●	▂
	3D TLC (BiCS3) * 供应有限, 建议采用BiCS4或BiCS5	●	▂
	3D TLC (BiCS4)	●	▂
	3D TLC (BiCS5)	●	▼

● 供给稳定 ● 供给吃紧 ▂ 持平 ▲ 上扬 ▼ 下跌

目前，BiCS3（96层）闪存供应有限，虽仍在市面上出售，但也需要提前下单以保障及时出货。

此外，三星最近宣布计划对内存减产，我们正密切关注其减产的状况和对价格的影响，一旦有更多信息，我们将立即通知您。

总结，我们预计第二季度的价格趋向平缓，建议您时刻关注我们的新讯，有助您合理规划订单。