
SAMSUNG informed its keynote audience of important product updates to previously-announced mobile storage and high-performance SSD at Flash Memory Summit 2022. The industry’s first UFS 4.0 mobile storage, developed by SAMSUNG in May, is scheduled to enter mass production in August. The new UFS 4.0 will be a critical component in flagship smartphones that require large amounts of data processing for features like high-resolution images and graphics-heavy mobile games, and will later be used in mobility, VR and AR.
Japan's Ministry of Economy, Trade and Industry (METI) has lately announced plans to subsidize Western Digital (WD) and KIOXIA’s NAND flash manufacturing facility for the volume production of the 162-layer 3D NAND flash in Yokkaichi, Mie Prefecture.


SK Hynix aims to select a U.S. site for its advanced chip packaging plant and break ground there around 1Q2023, two people familiar with the matter said, helping the United States to compete as China pours money into chip packaging. The plant, whose estimated cost would be "several billions," would ramp up to mass production by 2025-2026 and employ about 1,000 workers, one of the sources said, declining to be named because details about the plant have not been made public.
Micron announced its plans to invest $40 billion through the end of 2030 to build leading-edge memory manufacturing in multiple phases in the U.S. With the anticipated grants and credits made possible by the CHIPS and Science Act, this investment will enable the world’s most advanced memory manufacturing in America. Micron expects to begin production between 2026 and 2030, ramping overall supply in line with industry demand trends.

| Type | Supply | Price | |
|---|---|---|---|
|
DRAM Module ![]() |
DDR3 | ● | ▼ |
| DDR4 | ● | ▼ | |
| DDR5 | ● | ▼ | |
|
Flash Storage ![]() |
SLC | ● | ▂ |
| MLC | ● | ▂ | |
| 3D TLC (BiCS3) | ● | ▂ | |
| 3D TLC (BiCS4) | ● | ▼ | |
| 3D TLC (BiCS5) | ● | ▼ |
● Smooth supply ● Tight supply ▂ Flat ▲ Upward trend ▼ Downward trend

Learn what an NVMe SSD is, how NVMe differs from SATA SSDs, and why NVMe storage is ideal for automation, industrial systems, and high-frequency data logging.

Learn what ECC DRAM is, how error correction works, and why it matters for data integrity, system stability, networking security, and mission-critical computing.

NVRストレージを選定する際の主な検討事項:HDD、SSD、監視用SSD、およびAI NVRのストレージ要件を比較し、安定した高性能監視システムを構築しましょう。

温度はすべてのSSDを左右する隠れた制限要因であり、SSDの温度範囲は性能仕様であると同時に信頼性仕様でもあります。持続的な負荷がかかると、NVMeファームウェアは複合温度を監視し、軽度または大幅なサーマルスロットリングを開始します。その結果、書き込みスループットが低下し、遅延は急上昇します。また、熱はNAND内部の電荷漏れを加速させ、保持期間の劣化を早めます。この影響は、プログラム/消去サイクルによってセルの劣化が進むほど悪化します。このため、耐久性の消耗が早まり、後にドライブが無通電状態で放置された際のデータ保持トラブルのリスクも高まります。

SSDにおけるガーベージコレクションとは、コントローラーが静かに行うクリーンアップ作業のことです。まだ有効なページを新しい領域にまとめ、ほとんど不要になったブロックを消去します。奇妙に聞こえるかもしれませんが、NANDフラッシュはプログラム済みページを上書きできないことを思い出せば納得できます。まず消去する必要があり、この消去はページ単位ではなくブロック単位で行われます。そのため、更新処理は「別の場所に書き込んでから、後で消去する」という動作になります。

すべてのSSDには、OSからは見えない物理NANDが存在します。ベンダーはこのフラッシュの一部を、ユーザーには見えないコントローラー専用領域として確保しています。この予備領域がオーバープロビジョニング(OP)と呼ばれます。たとえば、TechTargetは、あるSSDは、物理NANDが976GBあるものの、ホストからアクセスできるのは800GBのみで、残りの176GBはコントローラー専用のOP領域として確保されたと報告しています。さらに、この領域にはFTLのマッピングテーブルや不良ブロックプールなどの内部メタデータも格納されます。このように、SSDのオーバープロビジョニングとは、ドライブ内部に存在するこの隠れた作業領域のことを指しています。