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Monthly Memory & Flash Market Watch

May 2026

Monthly Memory & Flash Market Watch

Union rally causes Samsung fab production to plummet by 58% during night shift — over 40,000 people attended rally for better pay and bonuses

• The disruption was caused by a large union rally, nearly one‑third of Samsung’s semiconductor fab workforce, showing that even a short labor action can have an immediate and measurable impact on highly automated semiconductor operations. A prolonged strike could undermine Samsung’s lead in next‑generation memory (such as AI‑related chips) and potentially drive customers toward competitors like SK hynix, while also pushing prices higher across the industry.

Kioxia, Solidigm and SanDisk invests in Nanya Technology

• The move reflects a capital‑light expansion strategy for the companies: instead of direct fab investment, they gain strategic influence, supply visibility, and ecosystem resilience through financial participation. By backing Nanya’s 10nm‑class DRAM roadmap (DDR5 and LPDDR5), Kioxia and SanDisk position themselves closer to next‑generation memory technologies needed for high‑performance computing, enterprise storage, and AI accelerators.

SK hynix Begins Supply of 321-layer QLC NAND Up to 2TB cSSD

• This move marks a major milestone in ultra‑high‑layer NAND commercialization. The new product, PQC21, is positioned as a next‑generation storage solution for the AI PC era, targeting systems that require high capacity, strong performance, and improved power efficiency. QLC NAND’s share of the global cSSD market is expected to grow from 22% in 2025 to 61% by 2027 according to IDC projections. The supply launch supports SK hynix’s strategy to secure leadership in QLC‑based client, full‑scale shipments to Dell Technologies began in April 2026, with SK hynix planning to broaden supply to additional global OEMs over time.

Micron begins volume shipment of HBM4 36GB 12H

•This line is designed for Nvidia’s Vera Rubin AI platform. HBM4 achieves pin speeds exceeding 11 Gb/s, delivering aggregate bandwidth greater than 2.8 TB/s, which represents a 2.3× bandwidth increase over HBM3E.To support future capacity scaling, The firm also samples HBM4 48GB 16‑high (16H) stacks, enabling a 33% increase in capacity per HBM placement versus the 36GB 12H product, demonstrating advanced packaging capabilities.

SUPPLY TREND

2026 – 2027 Worldwide NAND Flash Output

demand for legacy‑node SSDs is minimal within overall SSD shipments. Rapid expansion in AI‑related applications in 2026 is expected to drive sustained growth in demand for mainstream advanced‑node 3D‑type SSD products.

2026-2027 Worldwide DRAM Output
With a growing proportion of DRAM capacity being directed toward server applications and rising HBM adoption, allocations for PC and mobile segments are coming under increasing pressure.

2025-2026 NAND Price Trend & Sufficiency Ratio

Flash Sufficiency: CSP-driven AI expansion caused severe NAND shortages starting from Q3’25, and this might last during the entire 2026.

Price Trend: overall NAND flash price rose sharply in Q4’25 with enterprise and cloud service provider (CSP) demand surging—driven by AI infrastructure expansion and server upgrades. The market condition is projected to continue in 2026, sustaining NAND flash prices at a high level.

2025-2026 DDR4 Price Trend & Sufficiency Ratio

DRAM Sufficiency: Supply has come under significant pressure from Q3’25 through 2026 1H, as manufacturers phase out DDR4 production and reallocate capacity toward high-demand applications from the CSPs. This shift has led to a pronounced tightening in overall DRAM availability.

Price Trend: DDR4 price has risen sharply across both spot and contract markets, driven by CSP-led demand absorbing supply and growing HBM allocation crowding out commodity DRAM capacity.

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NVRストレージを選定する際の主な検討事項：HDD、SSD、監視用SSD、およびAI NVRのストレージ要件を比較し、安定した高性能監視システムを構築しましょう。
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温度はすべてのSSDを左右する隠れた制限要因であり、SSDの温度範囲は性能仕様であると同時に信頼性仕様でもあります。持続的な負荷がかかると、NVMeファームウェアは複合温度を監視し、軽度または大幅なサーマルスロットリングを開始します。その結果、書き込みスループットが低下し、遅延は急上昇します。また、熱はNAND内部の電荷漏れを加速させ、保持期間の劣化を早めます。この影響は、プログラム/消去サイクルによってセルの劣化が進むほど悪化します。このため、耐久性の消耗が早まり、後にドライブが無通電状態で放置された際のデータ保持トラブルのリスクも高まります。
産業用SSDにおけるガーベージコレクション：押さえておくべきポイント

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SSDにおけるガーベージコレクションとは、コントローラーが静かに行うクリーンアップ作業のことです。まだ有効なページを新しい領域にまとめ、ほとんど不要になったブロックを消去します。奇妙に聞こえるかもしれませんが、NANDフラッシュはプログラム済みページを上書きできないことを思い出せば納得できます。まず消去する必要があり、この消去はページ単位ではなくブロック単位で行われます。そのため、更新処理は「別の場所に書き込んでから、後で消去する」という動作になります。
SSDのオーバープロビジョニングとは

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すべてのSSDには、OSからは見えない物理NANDが存在します。ベンダーはこのフラッシュの一部を、ユーザーには見えないコントローラー専用領域として確保しています。この予備領域がオーバープロビジョニング（OP）と呼ばれます。たとえば、TechTargetは、あるSSDは、物理NANDが976GBあるものの、ホストからアクセスできるのは800GBのみで、残りの176GBはコントローラー専用のOP領域として確保されたと報告しています。さらに、この領域にはFTLのマッピングテーブルや不良ブロックプールなどの内部メタデータも格納されます。このように、SSDのオーバープロビジョニングとは、ドライブ内部に存在するこの隠れた作業領域のことを指しています。