3月市場新訊
March 2025
三星推出PCIe 5.0 x4 NVMe 2.0 M.2 2280固態硬碟，容量最高達8TB
• 專為AI驅動創作者設計的9100 PRO固態硬碟（帶散熱片為可選配置）順序讀寫速度高達14,800/13,400MB/s，4TB和8TB版本的隨機讀寫性能分別為2,200K/2,600K IOPS。
鎧俠和閃迪發佈下一代3D快閃記憶體技術，實現4.8Gb/s NAND介面速度
• 關鍵技術：1. CBA（CMOS直接綁定陣列）2. 基於SCA（獨立命令位址）協定的新型命令位址輸入方法 3. PI-LTT（電源隔離低抽頭終端）技術，降低資料登錄/輸出時的功耗。
• 該技術預計將使NAND介面速度比目前量產的第八代3D快閃記憶體提升33%，同時輸入功耗降低10%，輸出功耗降低34%，從而實現高性能與低功耗的平衡。通過將存儲層數增加至332層並優化佈局以提高平面密度，該技術使比特密度提升了59%。
SK海力士獲得國內網站的TISAX認證
• 該公司計畫通過此認證與全球汽車製造商和主要汽車零部件公司更緊密合作，並基於完善的安全體系與客戶建立信任，引領下一代汽車記憶體市場。(*TISAX: 旨在標準化汽車行業供應鏈中企業間資訊安全的全球資訊安全認證體系)
美光科技與工業公司合作，旨在為工業應用提供創新解決方案
• 自2020年2月起，美光通過其IQ合作夥伴計畫與7家公司展開合作，涵蓋工廠自動化、交通運輸和國防系統等領域。
供需與價格走勢
2024-2025 全球SSD出貨量
全球SSD需求在2024年第四季度達到了2024年全年出貨量的最高水準，預計2025年上半年的出貨量將比前一階段進一步攀升，甚至超過前一階段。
2024 – 2025年全球SSD出貨量
2024 – 2025年快閃記憶體供需和價格走勢
Flash Sufficiency: 自2024年下半年以來，維持在較低的水準
Price Trend: NAND Falsh價格在2024年第四季度降至低點，並將在2025年全年保持低位，原因是整體需求未顯著增強，且主要晶片製造商計畫執行減產。
2024 – 2025年DDR4記憶體供需和價格走勢
DRAM Sufficiency: 2024年全年保持在極低水準，但2025年上半年可能會增加產量以滿足HBM需求。
Price Trend: 8Gb合約價格在2025年下半年略有下降，但由於DDR4持續減產，價格仍將維持在相對較高的水準，遠高於最低現貨價格水準。
供需與價格走勢
| Type | Supply | Price | |
|---|---|---|---|
|
DRAM Module  |
DDR3 | ● | ▂ |
| DDR4 | ● | ▂ | |
| DDR5 | ● | ▂ | |
|
Flash Storage  |
SLC | ● | ▂ |
| MLC | ● | ▂ | |
|
3D TLC (BiCS3) *供應有限, 建議採用BiCS5 |
● | ▂ | |
|
3D TLC (BiCS4) *供應有限, 建議採用BiCS5 |
● | ▂ | |
| 3D TLC (BiCS5) | ● | ▂ |
●供給穩定 ● 供給略緊張 ● 供給吃緊 ▂ 持平 ▲ 上揚 ▼ 下跌
洞察觀點
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