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A⁺ SLC技术再跃进 擦写次数达100K等级

产品寿命爆发增长33倍

A⁺ SLC技术再跃进 擦写次数达100K等级

随着5G和AIoT应用的存储需求在全球范围内不断扩大，高容量3D TLC NAND闪存已逐渐取代SLC和2D MLC成为市场主流。然而，这种日益普遍的现象也代表着客户在寻求平衡预算和性能时面临的困境：既需高密度的存储、又必须保证读写效能和耐用度。 为解决痛点，威刚工控研发团队提供解方 – 升级A⁺ SLC 技术，将3D闪存产品的P/E Cycles (擦写次数) 推升至100K (100,000 cycles) ，为各式工业应用提供寿命更长的经济型解决方案！

A⁺ SLC技术再升级 - 实现100K擦写次数

为提升闪存产品的性价比，威刚独家开发Pseudo SLC (pSLC)技术，命名为“A⁺ SLC”. 藉由特制的固件，于3D TLC闪存中仿真SLC性能，并突破TLC擦写次数较低的限制。透过威刚升级后的A+ SLC技术，原本一般3D TLC闪存的3K擦写次数，可一举爆发增长到 100K (100,000 cycles)，使产品寿命大幅提升33倍。A⁺ SLC 充分满足需要长期完整数据保存的客户之需.

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*备注: 支持A⁺ SLC 技术的产品容量将依产品规格和客户客制需求有所不同，详情请联系我们的销售代表了解更多。

应用领域

5G/ 网通

AIoT

边缘计算

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交通运输

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